鲁达 1965年，戈登·摩尔（Gordon Moore）发现了一个惊人的行业规律：在芯片开发中，同样面积芯片上晶体管数量每隔18-24个月增加一倍。这意味着芯片的存储容量和计算能力相对于时间周期在持续呈指数式的上升。
这就是指引了半导体行业超过半个世纪的摩尔定律。
今天和大家一同分享半导体存储产业的另一重要细分市场——NAND闪存。
一、什么是闪存？
之前和大家介绍了DRAM内存，闪存可谓是它的“孪生兄弟”，手机内存参数8G+512G里的“512G”指的就是闪存。
与内存易失性存储的性质相反，闪存属于非易失性存储，也就是说即使断了电，闪存模块内存储的内容也不会丢失。我们身边的嵌入式存储、固态硬盘、移动硬盘等都属于闪存产品，他们都有一个共同的特征，即用于长期存储我们希望保存的信息，且随时可供读取。
早期的闪存产品主要是只读存储器ROM，经过掩膜只读存储器(Mask ROM)、可编程只读存储器(PROM)、可编程可擦除只读存储器(EPROM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)和快闪存储器(Flash)等阶段的迭代，如今的闪存产品已经突破原有的“只读”限制，主要产品包括NAND Flash和NOR Flash。前者是当今闪存市场的主流，占整个半导体存储市场规模的40%以上，与DRAM平分秋色。
二、闪存市场格局
受晶圆技术迭代与产能投放、下游终端市场需求、渠道市场备货，以及全球贸易环境等多重因素影响，全球NAND Flash市场规模在波动中持续增长。根据Yole数据，2020年全球NAND Flash市场规模约为570亿美元。近年来由于疫情的持续影响，消费者对于服务器和移动办公的需求激增，预计2022年NAND Flash市场规模将创下历史新高的830亿美元，且市场未来六年的CAGR约为6%。
与DRAM市场相似，全球NAND Flash市场份额高度集中，由三星、铠侠、西数、美光、海力士、英特尔等存储晶圆原厂主导，CR6约为98%。此外，海力士收购英特尔NAND业务已于2021年获得主要市场监管当局批准，全球NAND Flash市场将进一步集中。
三、闪存技术竞争
起初，闪存的发展是从2D平面结构开始，但由于下游需求端对更高性能闪存产品的追求，NAND Flash由平面结构升级为三维架构，并通过工艺技术的提升不断增加存储单元的层数（Layer）。就如同盖高楼一样，楼层越高，其容纳的空间也越大。目前，全球主要NAND Flash厂商的堆叠技术已突破128层以上。
此外，一般的存储单元正常只存储一个比特（Bit）的资料（称为SLC）。为了进一步缩小存储单元尺寸，除了运用工艺持续缩微及将存储单元3D化以外，各厂商也积极考虑增加每存储单元能存储的Bit数目。因此，逐渐诞生了存储两个Bit的MLC、存储三个Bit的TLC、存储四个Bit的QLC，以及还处于研发中的PLC、HLC、OLC等。
上述堆叠层数以及单位存储能力是衡量NAND厂商技术实力的两个重要维度。以全球NAND龙头美光为例，2022年5月，美光宣布推出全球首个232层堆叠3D NAND Flash产品，并计划于2022年底实现量产。
四、“超越摩尔”-长江存储
和DRAM领域的长鑫存储一样，长江存储是我国NAND领域“全村的希望”。长江存储科技有限责任公司于2016年成立，隶属于紫光集团，是一家3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业。
为什么称其为“超越摩尔”呢？因为长江存储技术实力的提升速度远远超出市场的预期。通俗来讲，长江存储用3年时间走完了国际NAND厂商6年走完的路，实现了从32层到128层堆叠的技术飞跃。
- 2018年，长江存储成功研发32层MLC 3D NAND闪存产品；
- 2019年，长江存储宣布搭载其自主创新Xtacking架构的第二代64层TLC 3D NAND闪存正式量产；
- 2020年，长江存储宣布第三代128层TLC/QLC两款产品研发成功，其中X2-6070型号作为首款第三代QLC闪存，拥有发布之时最高的IO速度，最高的存储密度和最高的单颗容量，基本达到国际领先水平。
2022年5月，令人振奋的是长江存储实现了192层NAND UC023存储器的交付，这意味着国产NAND技术实力与国际龙头厂商重新站在了同一起跑线上。
除了技术实力的显著提升，长江存储的市场份额也同样快速增长。长江存储现有的产线为武汉存储器基地一期，每月产能12万片晶圆，二期项目于2020年6月正式开工建设，两期项目达产后预估月产能共计30万片。虽然2020年长江存储的全球市场份额仅为1%，但预计2021、2022年将逐步提升至4%和7%。
五、闪存产业链情况
有别于逻辑芯片产业链，整个存储产业链，包括NAND Flash和DRAM都采用IDM的模式（即设计-制造垂直整合），意味着三星、英特尔、美光等存储晶圆厂商覆盖了存储晶圆的研发、生产、制造、封测等全部工序，因此其也被称为原厂。
在长江存储成立前，我国基本不具备NAND存储晶圆的生产能力，仅能参与到模组、封测等“喝汤”的产业分工环节。如今，随着长江存储国产替代实力的快速提升，我国主控芯片、模组、封测厂商也将迎来新的发展机遇。
二级市场方面，推荐受益于固态硬盘增量市场的国内主控芯片龙头厂商国科微（300672），同时建议关注受益于国产替代的存储模组及封测厂商江波龙、佰维存储（均已递交招股说明书）。
衷心希望国产存储产业再接再厉，“超越摩尔”。