什么是晶体管图示仪
晶体管特性图示仪是一种能对晶体管的特性参数进行测试的仪器。荧光屏的刻度可以直接观测半导体管的共集电极,共基板和共发射极的输入特性,输出特征,转换特征,β参数以及α参数等,并可根据需要,测量半导体管的其他各项极限特性与击穿特性参数。
晶体管图示仪的组成
晶体管图示仪是由集电极扫描电压发生器、基极阶梯信号发生器、问步脉冲发生器、X放大器和Y放大器、示波器及控制电路、电源电路等部分组成,是测量晶体管特性参数的仪器;基本组成请看下图:
晶体管图示仪主要技术指标
1、Y轴偏转系数
集电极电流范围:10μA/DIV,分15档,误差不超过±3%
二极管反向漏电流:
-2μA/DIV~5μA/DIV,误差不超过±5%
-1μA/DIV误差不超过±7%
-0.5μA/DIV误差不超过±10%
-0.2μA/DIV误差不超过±20%
外接输入:0.1μA/DIV误差不超过±3%
2、X轴偏转系数
极电极电压范围:0.1~500V/DIV分12档,误差不超过±3%
基极电压范围:0.1~5V/DIV分6档,误差不超过±3%
外接输入:0.05V/DIV误差不超过±3%
阶梯电压范围:0.05~1v/级分5档,误差不超过±5%
串联电阻:10Ω,10KΩ,0.1MΩ分三档,误差不超过±10%
3、其它
校正信号:0.5Vp-p,误差不超过±2%)(频率为市电频率)
01Vp-p,误差不超过±2%)(频率为市电频率)
电源电压:(220±10%)V
电源频率:(50±5%)Hz
视在功率:非测试状态约50W,满功率测试状态约80W.
晶体管图示仪使用方法
“电压(v)/度”旋钮开关
此旋钮开关是一个具有4种偏转作用共17挡的旋钮开关,用来选择图示仪x轴所代表的变量及其倍率。在测试小功率晶体管的输出特性曲线时,该旋钮置VCE的有关挡。测量输入特性曲线时,该旋钮置VBE的有关挡。
“电流/度”旋钮开关
此旋钮开关是一个具有4种偏转作用共22挡的旋钮开关,用来选择图示仪Y轴所代表的变量及其倍率。在测试小功率晶体管的输出特性曲线时,该旋钮置Ic的有关挡。测量输入特性时,该旋钮置“基极电流或基极源电压”挡(仪器面板上画有阶梯波形的一挡)。
“峰值电压范围”开关和“峰值电压%”旋钮
“峰值电压范围’’是5个挡位的按键开关。“峰值电压%”是连续可调的旋钮。它们的共同作用是用来控制“集电极扫描电压”的大小。不管“峰值电压范围”置于哪一挡,都必须在开始时将“峰值电压%”置于0位,然后逐渐小心地增大到一定值。否则容易损坏被测管。一个管子测试完毕后,“峰值电压%”旋钮应回调至零。
“功耗限制电阻”旋钮
“功耗限制电阻”相当于晶体管放大器中的集电极电阻,它串联在被测晶体管的集电极与集电极扫描电压源之间,用来调节流过晶体管的电流,从而限制被测管的功耗。测试功率管时,一般选该电阻值为1kΩ。
“基极阶梯信号”旋钮
此旋钮给基极加上周期性变化的电流信号。每两级阶梯信号之间的差值大小由“阶梯选择毫安/级”来选择。为方便起见,一般选10μA。每个周期中阶梯信号的阶梯数由“级族”来选择,阶梯信号每簇的级数,实际上就是在图示仪上所能显示的输出特性曲线的根数。阶梯信号每一级的毫安值的大小,就反映了图示仪上所显示的输出特性曲线的疏密程度。
“零电压”、“零电流”开关
此开关是对被测晶体管基极状态进行设置的开关。当测量管子的击穿电压和穿透电流时,都需要使被测管的基极处于开路状态。这时可以将该开关设置在“零电流”挡(只有开路时,才能保证电流为零)。当测量晶体管的击穿电流时,需要使被测管的基、射极短路,这时可以通过将该开关设置在“零电压”挡来实现。
晶体管特性图示仪使用方法
下面以JT-1型图示仪为例介绍晶体管特性图示仪的使用方法及注意事项,其面板如图8-11所示。
(1)晶体管特性图示仪的使用方法
①使用前须预热5min。
②调整好各开关的初始位置。注意图示仪的两个极性开关的选择。测试NPN型管子时,开关应放在正的位置;测试PNP型管子时,开关则应放在负的位置。
③使用标尺的颜色选择,一般观测时用红色标尺,摄影时用黄色标尺。调节辉度与辅助聚焦旋钮,使光点清晰。
④将集电极扫描的全部旋钮调到需要的范围,根据被测管子的最大工作电压,通常是将峰值电压范围旋钮置于0~20V或0~200V挡位上,将峰值电压旋钮旋转到零,将功耗限制电阻置于较大的挡上(如1kΩ以上)。测试时,根据变化再做相应的大小调整,直至获得理想的特性曲线为止。
⑤将X轴作用部分的伏/度,Y轴作用部分的毫安一伏/度与倍率调到需读测的范围。通常倍率开关先置于&TImes;1处,在测试微电流时,倍率置于&TImes;0.1处。
⑥使用时要校正X轴和Y轴的灵敏度。按下X轴或Y轴校正开关,屏幕上的光电位移10格就算校正完毕。
⑦将基极阶梯信号部分的极性、串联电阻、阶梯选择(毫安/级或伏/级)调到被测管需读测的范围,阶梯作用视需要选择,通常置于重复,级/秒一般选200为宜。
图8-11JT-1型图示仪的面板指示
(2)使用图示仪时的注意事项
①开始测试前,应初步了解被测晶体管的型号,交、直流参数,以及引脚的排列。
②在测试中应正确设置阶梯选择、功耗限制电阻和峰值电压范围开关的初始位置,以及极性开关的位置。若位置不当则会造成被测管损坏。
③测试中应注意被测管是否过热,是否超过被测管的性能和极限参数。
④测试结束后,应将峰值电压范围置于0~20V挡;将峰值电压旋钮至零处;将功耗限制电阻置于比较大的位置1kΩ以上;将基极阶梯信号的阶梯选择开关置于小于0.01毫安/级处;断开电源开关,以防下次使用仪器时因不慎而损坏被测管。
晶体管图示仪使用注意事项
1.使用前的检查
①检查仪器T作电压,并确保保险丝是否是指定型号。
②检查仪器的“峰值电压范围”是否置于低电压档,“峰值电压调节”是否旋至零位,“电压一电流级”是否置于阶梯电流低档,“阶梯信号”开关是否置于关档,“功耗限制电阻”是否置于中髙挡。
2.使用中的注意事项
①峰值电压范围由低电压档向髙电压档转换时,应先将峰值电压逆时针旋转至零,待换挡后,再慢慢调髙。
②注意阶梯信号选择、功耗限制电阻、峰值电压范围旋钮的使用,以免损坏被测
③测试大功率晶体管和极限参数、过载参数时,应采用单簇阶梯信号,以防过载损坏被测器件。
④测试MOS型场效应管时,不要使栅极悬空,以免感应电压过髙引起被测管击穿。
3.使用仪器三要和五不要原则,大家跟着一来来记起来~
三要原则:
1)使用完仪器后,要将仪器复位
2)要避免过热,过冷的温度,水分和灰尘
3)仪器要注意通风,避免潮湿等环境
五不要原则
1)不要把其它物体放在仪器上
2)不要将其他器件插入通风孔
3)不要让仪器受到撞击
4)不要用连接线拖拉仪器
5)不要将仪器长期倒置