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双向可控硅的测量方法

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1、根据P-N结的原理,只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。

2、阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上,阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上(它们之间有两个P-N结,而且方向相反,因此阳极和控制极正反向都不通)。

3、控制极与阴极之间是一个P-N结,因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围,反向电阻比正向电阻要大。

4、可是控制极二极管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻断状态的,可以有比较大的电流通过,因此,有时测得控制极反向电阻比较小,并不能说明控制极特性不好。

5、另外,在测量控制极正反向电阻时,万用表应放在R*10或R*1挡,防止电压过高控制极反向击穿。

6、若测得元件阴阳极正反向已短路,或阳极与控制极短路,或控制极与阴极反向短路,或控制极与阴极断路,说明元件已损坏。

7、扩展资料可控硅第一阳极A1与第二阳极A2间,无论所加电压极性是正向还是反向,只要控制极G和第一阳极A1间加有正负极性不同的触发电压,就可触发导通呈低阻状态。

8、此时AA2间压降也约1V。

9、双向可控硅一旦导通,即使失去触发电压,也能继续保持导通状态。

10、只有当第一阳极A第二阳极A2电流减小,小于维持电流或AA2间当电压极性改变且没有触发电压时,双向可控硅才截断,此时只有重新加触发电压方可导通。

11、参考资料来源:百度百科-可控硅原理参考资料来源:百度百科-可控硅。

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责任编辑: 鲁达

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