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DDR3是一种计算机内存规格。它是SDRAM家族的内存产品,相比DDR2 SDRAM提供了更高的运行效率和更低的电压。
DDR3技术简介
为了更省电和提高传输效率,DDR3 SDRAM采用SSTL 15的I/O接口,工作I/O电压为1.5V,采用CSP和FBGA封装。除了延续DDR2 SDRAM的ODT、OCD、Posted CAS、AL控制方式外,还增加了CWD、复位、ZQ、SRT、RASR等更复杂的功能。
DDR3存储器的技术改进
逻辑库数量:DDR2 SDRAM有4个库和8个库,是为了满足未来大容量芯片的需求而设计的。DDR3很可能是2Gb容量起步,所以初期逻辑库是8个,为以后16个逻辑库做准备。
封装:DDR3有一些新功能,所以管脚会增加。8位芯片采用78引脚FBGA封装,16位芯片采用96引脚FBGA封装,DDR2采用60/68/84引脚FBGA封装。
突发长度:因为DDR3的预取是8 ^ 8位,所以突发长度(BL)也固定为8。对于DDR2和早期的DDR架构系统,BL=4也是常用的。DDR3增加了4位突发模式,即BL=4的读操作和BL=4的写操作合成一个BL=8。
寻址时序:DDR3的延迟在5到11之间,附加延迟(al)的设计也有变化。
降低功耗:在DDR3实现高带宽的同时,可以降低其功耗,其核心工作电压在DDR2从1.8V降低到1.5V。相关数据预测,DDR3将比目前的DDR2节省30%的功耗。
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