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ddr2

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插槽不同。DDR3比DDR2的频率更高、速度更快、容量更大、性能更高。

DDR3内存和DDR2内存相比,其实只是规格上的提升,并没有真正的新架构进行全面替代。DDR3和DDR2的插针数量都是240针。但是,缺口对于防呆的位置是不同的。DDR3在大容量内存上有更好的支持,大容量内存的分水岭是4GB,这是32位操作系统的上限。当市场需求超过4GB时,64位CPU和操作系统是唯一的解决方案,此时正是DDR3内存的普及期。

一、DDR2和DDR3内存特性差异:

1.逻辑库数量

DDR2 SDRAM有4Bank和8Bank两种设计,目的是为了满足未来大容量芯片的需求。DDR3很可能是从2Gb的容量起步,所以初期的逻辑库是8个,也为未来的16个逻辑库做好了准备。

2.包装

由于DDR3有一些新的功能,引脚会有所增加。8位芯片采用78球FBGA封装,16位芯片采用96球FBGA封装,DDR2采用60/68/84球FBGA封装。而且DDR3必须是绿色包装,不能含有任何有害物质。

3.突发长度

因为DDR3的预取是88位,所以突发长度(BL)也固定为8。对于DDR2和早期的DDR架构系统,BL=4也是常用的。DDR3增加了4位突发斩波模式,即BL=8的数据突发由BL=4的读操作和BL=4的写操作合成。

4.寻址时序

就像DDR2从DDR转换过来后延迟周期数增加一样,DDR3的CL周期也会比DDR2增加。一般DDR2的CL范围在2-5之间,而DDR3的CL范围在5-11之间,附加延迟(al)的设计也有变化。在DDR2,AL的范围是0到4,而在DDR3中,AL有三个选项,即0、CL-1和CL-2。此外,DDR3增加了一个新的时序参数,即——写入延迟(CWD),具体取决于具体的工作频率。

第二,与DDR2相比,DDR3有优势(桌面无缓冲DIMM):

1.速度更快:预取缓冲区的宽度从4bit增加到8bit,在内核相同频率下的数据传输能力将是DDR2的两倍。

2.更省电:DDR3模块电压在DDR2由1.8V降至1.5V,比同频率的DDR2更省电。借助SRT(自刷新温度)功能,增加内部温度传感器,可以根据温度动态控制更新速率(RASR,部分阵列自刷新功能),达到省电的目的。

3.更大的容量:更多的银行。按照JEDEC标准,DDR2应该可以达到每单元4Gb的容量(也就是单个模块可以达到8GB)。但根据目前很多DRAM厂商的规划,DDR2生产可能会跳过这个4GB的单位容量,也就是说单个DDR2 DRAM模块的容量最多只会达到4Gb。DDR3模块容量会从1GB起步,目前单个模块规划到16GB没问题(注:这里指的是专门用于零售组装市场的无缓冲DIMM,但FB和Registered for server不限于此)。

本文讲解到此结束,希望对大家有所帮助。

责任编辑: 鲁达

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