luda 上一期讲了计算机DDR3内存和DDR2内存之间的区别。大家都知道吗？(干货)，很多网民微信评论。现在DDR4正在普及，小编也在说DDR2？否则，想看透一件事的都要知道升级进化过程，才能更系统地学习知识，编制我也可以和大家一起学习。毕竟科学技术在不断发展，能学到老。(莎士比亚。哈姆雷特。)如果你认为你学到了可以收集，可以传递给需要的朋友们。
DDR3内存自2007年服役以来已过了8年，其继任者DDR4内存刚刚进入零售市场。DDR3的性能已经足够强大，但似乎没有理由不更换为电子产品。DDR4的起飞频率只有2133MHz，上市前受到网友们的吐槽。频率低的CL值都是重点吐槽对象。
DDR4目前仅在台式机旗舰级X99平台上受支持。这种平台价格昂贵，4通道内存便宜，2000元，可以用2133MHz入门，而高端3000MHz价格要贵得多，购买X99平台的用户被拐卖，需要购买昂贵的DDR4内存。
如果Haswell-E实际上同时支持DDR3和DDR4，您会选择DDR3还是DDR4？有人可能会说买DDR4更多，选择DDR3更少，但明智的用户会选择更好的性能。
每当内存升级发生变化时，需要支持的是处理器。Haswell-E平台的内存是四通道设计(如IVB-E/SNB-E)，DDR4内存频率基本上支持2133MHz，与IVB-E的DDR3基本1866MHz相比，起始频率有了很大提高。Haswell-E是新主力，最高提升两分。一个是6核升级8核，另一个是DDR4支持。上市初期总体成本相当高，同时不支持DDR3和DDR4内存，增加了DDR4推广的门槛。
DDR4和DDR3内存差异：外形规格
DDR4金手指的巨大变化
上图中为什么Yuzhan DDR4内存金手指弯曲，不沿着直线设计？总有这样的情况：扁平的内存金手指插入内存插槽后摩擦力会增大，因此很难拔出内存，也很难插入。为了解决这个问题，DDR4设计成稍微突出内存底部，边缘减少的形状。中央的高点和两端的低点使用平滑的曲线变化。这种设计可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面，信号传输可以确保信号稳定，同时中间凸起部分和内存插槽能够以足够的摩擦力稳定内存。
界面位置也发生了变化，金手指中间的“缝隙”位置比DDR3更接近中心。对于金手指触点数，普通DDR4内存为284个，DDR3为240个，每个触点的间距从1毫米减少到0.85毫米。
DDR4最重要的任务当然是提高频率和带宽。根据标准规定，最低为DDR4-1600，但从实用角度来说，应该从DDR4-2133、最高为DDR4-3200开始。新内存中的每个针脚都提供2Gbps(256MB/s)的带宽。DDR4-3200的速度为51.2GB/s，比DDR3-1866高出70%以上。
DDR3、DDR4记忆棒外观比较：内存颗粒封装形式、DIMM类型不变。
DDR4的外观发生了很大变化。
1、DIMM内存条的长度保持在133.35 0.15毫米不变，但高度略有增加，从30.35 0.15毫米增加到31.25 0.15毫米。SO-DIMM笔记本电脑内存条的长度从67.6毫米增加到68.6毫米，高度变化如上。
2、内存条厚度从1.0毫米增加到1.2毫米，主要是因为PCB层的数量增加了。
3、针脚数，DIMM从240针脚增加到284针脚，针脚间距从1.0毫米缩短到0.85毫米，总长度几乎没有变化。SO-DIMM从204针脚增加到256针脚，针脚间距从0.6毫米减少到0.5毫米。针脚更多，间距减少，但总长度增加，记忆棒也增加了1毫米。
4、金手指的底部总是平的，但DDR4是弯曲的，因为其中两端短，中间长，主要是插头更方便。金手指缝隙的位置也与DDR3的位置不同，防止错误插入。
5.记忆棒上的数据也从1个大幅增加到9个。
还有其他参数的变化，例如容量和电压。
DDR4使用3DS堆叠封装技术，可将单个内存容量提高到当前产品的8倍。例如，当前常用的大内存的单个容量为8 GB(512 MB单片机，共16个)，而DDR4可以达到64GB，甚至128GB。
对于电压，DDR4使用20纳米以下的工艺制造，电压从DDR3的1.5V降低到DDR4的1.2V，移动版本的SO-DIMMD DR4的电压进一步降低。
:Tom编辑
资料来源：网络
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