鲁达 IRLML2502TRPBF数据手册来看看NMOS管包含那些参数，及选型相关数据。
NMOS管特点
• Ultra Low On-Resistance 超低导通电阻
• N-Channel MOSFET n沟道MOSFET
• SOT-23 Footprint SOT-23封装
• Low Profile (<1.1mm) 低厚度(小于 1.1毫米)
• Available in Tape and Reel可提供磁带和卷轴 包装
• Fast Switching 快速切换
• Lead-Free 无铅
• Halogen-Free 无卤
上图:显示的特性就是导通电阻非常小，电压最高在20V
上图：器件的符号
Description描述 说的一些优点，和应用啥的，随便看看就好。
These N-Channel MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.
此器件来自IR公司的n沟道mosfet管，利用先进的工艺技术来实现每个硅面积非常低的导通电阻。
This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET® power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in battery and load management.
此优点，再加上众所周知的HEXFET®功率mosfet的快速切换速度和坚固的设备设计，为设计者提供了一个在使用的非常高效和可靠的设备例如使用在电池和负载管理中。
A thermally enhanced large pad leadframe has been incorporated into the standard SOT-23 package to produce a HEXFET Power MOSFET with the industry's smallest footprint.
一个热增强的大型衬垫引线框架已被纳入标准的SOT-23封装，以生产业界最小的占地面积的六场效应晶体管功率MOSFET。
This package, dubbed the Micro3™, is ideal for applications where printed circuit board space is at a premium.
这种封装称为Micro3™，非常适合印刷电路板空间小的地方使用。
The low profile (<1.1mm) of the Micro3 allows it to fit easily into extremely thin pplication environments such as portable electronics and PCMCIA cards.
Micro3的低轮廓(<1.1毫米)使它可以很容易地适应极薄的应用环境，如便携式电子设备和PCMCIA卡。
The thermal resistance and power dissipation are the best available.
热阻和功耗是最好的。
Absolute Maximum Ratings 绝对最大额定参数
Parameter 参数 | Max. 最大值 | Units |
VDS | Drain- Source Voltage | 20V |
ID @ TA = 25°C | Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V | 4.2A |
ID @ TA= 70°C | Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V | 3.4A |
IDM | Pulsed Drain Current | 33A |
PD @TA = 25°C | Power Dissipation 功耗 | 1.25W |
PD @TA = 70°C | Power Dissipation 功耗 | 0.8W |
Linear Derating Factor线性降额因子 | 0.01 W/°C | |
VGS | Gate-to-Source Voltage 栅-源 电压 | ± 12 |
TJ, TSTG | Junction and Storage Temperature Range | -55 to + 150 |
上面要注意的是VDS电压不要超过20V，电流一般使用完全没问题，选型按2倍选。
Thermal Resistance 热阻
Parameter | Typ. | Max. | Units |
RθJA | Maximum Junction-to-Ambient | 75 | 100C/W |
Electrical Characteristics @ T= 25°C (unless otherwise specified)
电气特性在 T= 25°C(除非另有说明)
Parameter | Min. | Typ. | Max. | Units | Conditions | |
V(BR)DSS | Drain-to-Source Breakdown Voltage | 20 | ––– | ––– | V | VGS =0V ID = 250µA |
ΔV(BR)DSS/ΔTJ | Breakdown Voltage Temp. Coefficient | ––– | 0.01 | ––– | V/°C | Reference to 25°C ID = 1mA |
RDS(on) | Static Drain-to-Source On-Resistance | ––– | 0.035 | 0.045 | Ώ | VGS = 4.5V, ID = 4.2A |
RDS(on) | 静态Drain-to-Source导通电阻 | ––– | 0.05 | 0.08 | Ώ | VGS = 2.5V, ID = 3.6A |
VGS(th) | Gate Threshold Voltage | 0.6 | ––– | 1.2 | V | VDS = VGS, ID = 250µA |
gfs | Forward Transconductance | 5.8 | ––– | ––– | S | VDS = 10V, ID = 4.0A |
IDSS | Drain-to-Source Leakage Current | ––– | ––– | 1 | ua | VDS = 16V, VGS = 0V |
IDSS | D-S 漏电流 | ––– | ––– | 25 | ua | VDS = 16V, VGS = 0V, TJ = 70°C |
IGSS | Gate-to-Source Forward Leakage | ––– | ––– | -100 | na | VGS = -12V |
IGSS | Gate-to-Source Reverse Leakage | ––– | ––– | 100 | na | VGS = 12V |
Qg | Total Gate Charge | ––– | 8 | 12 | nc | ID = 4.0A |
Qgs | Gate-to-Source Charge | ––– | 1.8 | 2.7 | nc | |
Qgd | Gate-to-Drain ("Miller") Charge | ––– | 1.7 | 2.6 | nc | |
td(on) | Turn-On Delay Time 开启延迟时间 | ––– | 7.5 | ––– | ns | VDD = 10V |
tr | Rise Time 上升时间 | ––– | 10 | ––– | ns | |
td(off) | Turn-Off Delay Time关断延迟时间 | ––– | 54 | ––– | ns | |
tf | Fall Time 下降时间 | ––– | 26 | ––– | ns | |
Ciss | Input Capacitance 输入电容 | ––– | 740 | ––– | PF | VGS = 0V |
Coss | Output Capacitance 输出电容 | ––– | 90 | ––– | PF | |
Crss | Reverse Transfer Capacitance | ––– | 66 | ––– | PF |
注意的是VDS电压不要超过20V，静态Drain-to-Source导通电阻，当VGS为4.5V时，导通电阻是非常小的，所以在器件上损耗更小，电流可流过的就更大，这就是很多电脑主板控制电源都是用的场效应管的原因，如果用三极管开关自身损耗大，发热就大，栅极阈值电压0.6-1.2V，推荐的是4.5V~5V所以CPU为3.3V为什么要加个三极管驱动一下，输出电流使用完全没问题小于4A，建议选型要按2倍方法进行选器件，另外是开关断、上升下降时间，输入输出电容，这对高速电路应用，要重点看一下。
Source-Drain Ratings and Characteristics 源-漏额定值和特性
Parameter 参数 | Min. | Typ. | Max. | Units | |
IS | Continuous Source Current (Body Diode) | ––– | ––– | 1.3 | A |
ISM | Pulsed Source Current (Body Diode) | ––– | ––– | 33 | A |
VSD | Diode Forward Voltage | ––– | ––– | 1.2 | V |
trr | Reverse Recovery Time | ––– | 16 | 24 | ns |
Qrr | Reverse Recovery Charge | ––– | 8.6 | 13 | nC |
上面说的就是保护二极管的参数。
"MOSFET" symbol showing the integral reverse p-n junction diode."
“MOSFET”符号表示积分反向p-n结二极管。
图1、2 典型的输出特性 在VGS不同电压对应VDS电流电压关系 25度 和 150度。
图3 典型的转换特性，栅-源电压 与 漏-源电流关系
图4 标准导通电阻与温度 结点温度 与 VGS为4.5V,漏-源电流在4A时导通电阻关系。
图5 典型的输入输出电容与D-S电压关系 图6：典型栅极电荷与栅-源电压关系
图7 典型的保护二极管正向电压电流关系 图8 最大安全运行区域
图10最大有效瞬态结与环境间的热阻
图11 漏-源电压开启状态（电阻）与 栅-源电压关系，VGS在4.5V~ 5V时是比较合适的。
图12 （VGS: 2.5V、4.5V）漏-源电压开启状态（电阻）与 漏极电流关系
Micro3 (SOT-23) (Lead-Free) Package Outline Dimensions are shown in millimeters (inches)
Micro3 (SOT-23)(无铅)封装外形尺寸以毫米(英寸)表示
上图所示，显示一些封装尺寸信息毫米(英寸)都有标明，画PCB时有用得上。