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据外电报道，总部位于美国的Solar-Tectic最近在宾汉姆顿大学和Blue Wave Semiconductor的帮助下获得了新的薄膜晶体管(TFT)技术专利，该技术有助于提高有机发光二极管OLED
与用于制造驱动显示器像素并需要昂贵的准分子激光退火的TFT的传统低温多晶硅（LTPS）工艺不同，这种新工艺是由金属诱导结晶（MIC）衍生而来的，并且使用改性液相外延电子束工艺，能够在低至232°C的温度下，在金属氧化物，如氧化镁缓冲基板上沉积薄金属层，然后沉积最终的汽化硅（Si）层并结晶成约50至100nm厚的薄膜，整个流程没有任何金属残余物。
通过使用拉曼光谱和X射线光谱对Si膜进行的分析显示出了高达188cm2/Vs的电子迁移率（而传统的LTPS电子迁移了则为100cm2/Vs）。
研究人员希望通过使用ST和BWS定向的MgO（111）薄膜缓冲基板进一步提高晶体尺寸，从而进一步提高电子迁移率，最终提高设备效率并有效降低成本。