admin 清华紫光在2015年以230亿美元收购美光，试图获得闪存技术，但以失败告终。
在今年年初宣告结束与美光在闪存研发领域合作的计划之后，英特尔最近传出有意与清华紫光展开闪存方面的合作。
据DRAMeXchange及日本经济新闻报道，英特尔计划向清华紫光供应3D闪存晶圆，而相关晶圆将在英特尔位于大连的工厂制造。英特尔大连工厂（Fab 68）于2010年建成投产，最早使用65纳米技术生产芯片组产品，英特尔于2015年投资55亿美元将其改造为闪存制造基地。
在此之前，英特尔与美光合作研发非挥发性存储技术，并通过与美光成立的合资工厂IMFT获得闪存晶圆，将其用于自家固态硬盘产品。按照计划，英特尔将在96层3D闪存技术研发成功后与美光彻底分家，大连工厂将成为未来英特尔闪存制造来源之一。
如果合作获得成功，清华紫光将成为大连工厂的闪存客户。目前英特尔在闪存市场份额仅有5.5%，排名第六，在拥有更先进的3D XPoint闪存的情况下，出售技术相对简单的3D NAND闪存晶圆不仅可以稳固市场份额，也能让英特尔获取更多收益。
清华紫光旗下的长江存储在去年年底刚刚宣布成功研发出32层堆叠3D NAND闪存，64层闪存技术遥遥无期，如果与英特尔合作直接购买64层3D NAND闪存晶圆进行测试封装，可以快速实现高水平闪存产品的生产。
清华紫光是台湾封测大厂力成的第一大股东，而力成目前是东芝、美光等原厂的委外封测厂。就目前来看，与英特尔的合作很可能无法获得闪存核心的研发技术，但能够充分发挥当前在芯片封装测试方面的资源。使用英特尔3D NAND晶圆并在国内封装测试，最终打上紫光Logo的闪存颗粒，能否给固态硬盘带来新的降价可能呢？我们拭目以待。